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专利名称：一种制备(222)强织构ITO薄膜的方法专利类型：发明专利
发明人：张伟,姜智艺,鲍建秋,胡芳仁,张雪花申请号：CN202010523344.6申请日：20200610公开号：CN111575666A公开日：20200825
摘要：本发明公开了一种制备(222)强织构ITO薄膜的方法，包括以下步骤：(1)清洗硅基片并安装于磁控溅射设备的腔室中；(2)将靶材放置于磁控溅射设备的腔室内，调整靶材和硅基片之间的距离；(3)对腔室进行抽真空处理；(4)对硅基片进行加热处理；(5)向腔室通入氩气和氧气；(6)开启磁控溅射设备，对硅基片进行溅射；(7)溅射完成后，得到(222)晶面高度择优取向的ITO薄膜。本发明通过实现了在普通单晶Si(100)基底上制备(222)晶面高度择优取向的ITO薄膜，无需引入种子层，利于高质量电子陶瓷薄膜在Si上的集成，具有结晶性良好，工艺简便，易于工业化的特点。
申请人：南京邮电大学
地址：210000 江苏省南京市雨花台区软件大道186号
国籍：CN
代理机构：南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙)
代理人：陈国强
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