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专利名称：一种大功率LED芯片的制作工艺及LED芯片专利类型：发明专利
发明人：徐晓丽,刘芳,孙雷蒙,杨丹申请号：CN202011184449.X申请日：20201030公开号：CN112271241A公开日：20210126
摘要：本发明公开了一种大功率LED芯片的制作工艺及LED芯片，包括依次制作外延片、第一电流扩展层、反射层、第二电流扩展层、阻挡层、钝化层、金属层、P电极与N电极：其中第二电流扩展层的制作包括，先沉积一层第二电流扩展层并制作图形化的光刻胶层；然后对第二电流扩展层进行干法刻蚀，以形成与光刻胶层对应的图形化的第二电流扩展层，第二电流扩展层将位于芯片中P电极周围r范围内的区域和位于P电极r范围外的区域进行连续覆盖，其中，R表示P电极与芯片边缘的最远距离。该图形化的第二电流扩展层，可以将P电极附近的区域与P电极较远的区域进行连续覆盖，将电流从高浓度区域向低浓度区域扩展，使电流更加均匀。
申请人：华引芯(武汉)科技有限公司
地址：430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道999号未来城龙山创新园一期A5北区4栋7层701单元706室
国籍：CN
代理机构：杭州宇信知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：张宇娟
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