北京交通大学与鼎阳科技共同成立联合实验室

Ｌ■！●ｊ■　Ｃ　●巾ｈｉｎ国ａ　Ｉｎ集ｔｅ成电路　ｇｒａｔｅｄ　Ｃｉｒｃｕｉｔ　４结论　综上，通过对ＧａＮ射频器件的射频特性测试、　系统级指标验证、缺陷测试的阐述看出，ＧａＮ功率　放大器的测试涵盖了直流、射频和系统级的指标，　Ｋｅｙｓｉｇｈｔ提供了完整的测试方案，致力于解决ＣａＮ　测试　特性　测试项目　测试—　－７钉，－～　一一一　表２　ＧａＮ射频器件典型的测试参数。测试要求和测试方案　典型测试要求和对仪表的要求　Ｋｅｙｓｉｇｈｔ解决方案　栅极开启电　直流　压、静态工　高电压、低漏电测试；　特性　作点　涌极　测试速度。　击穿电压　Ｓ参数、输　大功率测试脉冲测试：输入功率　Ｂ２９０２Ａ、　Ｂ１５００／０５／０６Ａ　射频　出功率、增　可能夫于３（ＭＢｍ．Ｐｕｌｓｅ　Ｗｉｄｔｈ一　性能　益、效率、　１Ｏ０．ｕｓ，ＤｕｔｙＣｙｃｌｅ一１０。　：　ＰＮＡ．ｘ千¨相虚附件　瓦调．噪声　测试教率：要求单次连接．多次　系数　测量。　功放测试中的挑战和难题，现将ＧａＮ射频器件典型　的测试参数，测试要求和测试方案总结如表２，以供　渎者一目了然Ｋｅｙｓｉｇｈｔ的ＧａＮ功率放大器测试方　法及结果。四　系统级　调制信号下　足够的信号源调制带宽和分析仪　的ＡＣＰＲ和　表带：　信号潲＋信导分析他　指标　ＥＶＭ　满足要求的ＤＰＤ算法　＋Ｎ７６１４Ｃ　ＰＡ测试软件　栅延迟：测试系统的时序以及栅　极电压的上升沿时间：　示波器　电流探义：　ＧａＮ器　栅延迟　件的缺　动态电阻和　电流崩塌（动急电阻）：高电压　陷测试　电流崩塌　应力到高电流模式的切换．及对　应时间　Ｂｌ５０５Ａ半导体　参敬分折仪。　上接第７１页　表３加严后Ｘ－ＲＡＹ检测时候的参数设置　ｓｉｚｅ　ＪＸ－ＲＡＹ｝（ｖ　Ｊ　ＸＲＡＹ　ＵＡ｝ＳＣＡＮＴＩＭＦＪＲＥＥＬ｛３００（￣ｓｌｍｓ　Ｊ　Ｄｉｓｔａｎｃｅ　３ＯＯＯ　ｌ　８０　ｌ　１＇０　ｌ　６６６　　６ｃｍ　Ｉ５结论　本文通过理论分析与试验数据证实了高剂量的　０　Ｂｈ¨ｑ　３ｌ　）３７４／３０３７４　ｍ●＿１　０６１　ｍ　Ｘ—ＲＡＹ的确会对ＭＯＦＥＴ的阈值电压产生影响；同　时又在试验数据的基础上找到了适合］一厂正常生产　ｌｒ　ｒＩ　ｌ－Ｉ　条件下的Ｘ—ＲＡＹ照射参数，既保证了产品的安全　又不影响　厂的正常生产，具有一定的参考意义。四　ＪＩ　ｆＪ　¨　ＩＪ　””　跚。　”。　，　作者简介　：　”　盛　顾盛光，产品测试高级工程师，硕士，现任职于英飞　凌科技（无锡）有限公司。　程杨，失效分析实验室经理，硕士，现任职于英飞凌　科技（无锡）有限公司。　王友彬，产品测试工程部高级经理，现任职于英飞凌　科技（无锡）有限公司。　图８加严Ｘ－ＲＡＹ照射参数前后的ＶＴＨ对比　上述实验数据证明，Ｘ—ＲＡＹ参数加严后的阈值　电压与照射Ｘ—ＲＡＹ之前的阈值电压没有明显的偏　移．也就可以证明现有生产条件下Ｘ—ＲＡＹ照射对　ＭＯＳＦＥＴ的阈值电压不会造成明显的影响。