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专利名称：一种泡生法蓝宝石单晶炉用坩埚盖结构专利类型：发明专利
发明人：左洪波,杨鑫宏,李铁,马宗羽申请号：CN202010707407.3申请日：20200722公开号：CN111850687A公开日：20201030
摘要：本发明涉及一种泡生法蓝宝石单晶炉用坩埚盖结构，该结构整体由圆环钼板、钨板、间隔钼板用的钼螺母、整体通过钼螺栓以及钼丝固定连接，圆环钼板包括至少两层圆形钼片；圆形钼片、钨板中间留有直径不同的同心圆内孔，整体由间隔钼板用的钼螺母、钼螺栓以及钼丝制作的铆钉固定；坩埚盖包括上半部圆环和下半部圆环，上半部圆环外径大于下半部圆环外径，上半部圆环和下半部圆环圆心相同外径不同，同心圆内孔直径从上到下先变小在变大；每层钼片内径尺寸也不相同，坩埚盖的最下层钨板为圆形；每层钼板、钨板之间由钼螺母间隔，通过钼螺栓、钼丝穿接固定。本发明由钼丝以及间隔钼片的钼螺母穿接固定，形成头尾片可灵活拆卸结构，可以有效减小放肩阶段生长界面的底部圆锥角度，降低大尺寸晶体肩部缺陷，提高晶体晶体良率。
申请人：哈尔滨秋硕半导体科技有限公司
地址：150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街357号
国籍：CN
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