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专利名称：硅外延晶片制造装置专利类型：发明专利发明人：吉武贯
申请号：CN201711128804.X申请日：20171115公开号：CN109778309A公开日：20190521
摘要：本发明可延长寿命并简化维护。本发明的硅外延晶片制造装置（10），具备：腔室（20），容纳硅晶片（100）并通过由灯加热所导入的气体进行外延成膜处理；及多个金属部件，安装于腔室，其中，多个金属部件包括：底板（29），保持腔室；隔离阀（27），使硅晶片在腔室进出；及供排气机构（30、40），连接于腔室并引导对腔室进行供排气的气体，在位于能够被金属部件中的灯（11）照射的位置的腔室的内表面及与金属部件的组装面中被灯照射的腔室的内表面接触的部分设置有石英涂层。
申请人：胜高股份有限公司
地址：日本东京都
国籍：JP
代理机构：中国专利代理()有限公司
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