2N2222(3DG2222) 硅NPN半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR
用途:用于一般放大。
Purpose: General purpose amplifier.
极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃)
数值 单位 参数符号
Symbol Rating Unit VCBO 60 V
VCEO 30 V
VEBO 5.0 V
IC 600 mA
PC 625 mW
Tj 150 ℃
Tstg -55～150 ℃
电性能参数/Electrical characteristics(Ta=25℃)
数值 Rating 参数符号 测试条件 单位
Symbol Test condition 最小值典型值最大值 Unit
Min
Typ
Max
VCBO VCEO VEBO ICBO IEBO hFE VCE(sat)(1) VCE(sat)(2) VBE(sat)(1) VBE(sat)(2) fT Cob Ton Toff
IC=10μA IE=0 IE=10mA IB=0 IE=10μA IC=0 VCB=50V IE=0 VEB=5.0V IC=0 VCE=10V IC=150mA IC=150mA IB=15mA IC=500mA IB=50mA IC=150mA IB=15mA IC=500mA IB=50mA VCE=20V IC=20mA f=100MHz VCB=10V IE=0 f=1.0MHz VCC=30V VBE=0.5V IC=150mA IB1=15mA VCC=30V IC=150mA IB1=IB2=15mA
60 30 5.0 100 250
0.01 0.1 300 0.4 1.6 1.3 2.6 8.0 35 285
V V V μA μA V V V V MHz pF ns ns
佛 山 市 蓝 箭 电 子 有 限 公 司 FOSHAN BLUE ROCKET ELECTRONICS CO., LTD.
2N2222(3DG2222)
佛 山 市 蓝 箭 电 子 有 限 公 司 FOSHAN BLUE ROCKET ELECTRONICS CO., LTD.