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专利名称：形成多晶硅层及多晶硅薄膜晶体管的方法专利类型：发明专利发明人：翁健森,申请号：CN03155605.1申请日：20030829公开号：CN1591801A公开日：20050309
摘要：本发明公开一种形成多晶硅层及多晶硅薄膜晶体管的方法。该方法定义硅晶种以形成多晶硅层，其包括以下步骤。首先，在一基板上形成一牺牲层，图案化此牺牲层，以在此牺牲层中形成一开口。接着，在牺牲层和基板上形成一第一非晶硅层，蚀刻此第一非晶硅层，而于开口内留下硅晶种。接着，除去牺牲层，在硅晶种上形成一第二非晶硅层。最后，使第二非晶硅层结晶而形成一多晶硅层。本发明可精确控制硅晶种在沟道区位置产生，可增大晶粒尺寸，并可降低沟道区所涵盖的晶界数目。
申请人：友达光电股份有限公司
地址：省新竹市
国籍：CN
代理机构：北京市柳沈律师事务所
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