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专利名称：一种低触发电压的ESD保护结构、集成电路及设备专利类型：发明专利
发明人：夏瑞瑞,蔡小五,刘海南,曾传滨,赵海涛,卜建辉,高悦
欣,罗家俊
申请号：CN202010103234.4申请日：20200219公开号：CN111341770A公开日：20200626
摘要：本发明公开了一种低触发电压的ESD保护结构、集成电路及设备，该ESD保护结构包括：依次相连排布于顶硅层的第一P阱区、第一N阱区和第二P阱区；依次排布的第一P+区、第一N+区、第二P+区、第二N+区、第三N+区、第四N+区和第五N+区；第一P+区和第一N+区位于第一P阱区中，第二P+区和第二N+区位于第一N阱区中，第三N+区位于第一N阱区和第二P阱区连接处，第四N+区和第五N+区位于第二P阱区中；第一P+区和第一N+区与阴极导通连接；第二P+区和第二N+区与阳极导通连接。本发明提供的结构，电路和设备，用以解决现有技术中集成电路的ESD防护存在的防护响应过慢的技术问题。提供了一种响应迅速的ESD保护结构。
申请人：中国科学院微电子研究所
地址：100029 北京市朝阳区北土城西路3号
国籍：CN
代理机构：北京华沛德权律师事务所
代理人：房德权
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